Samsung 970 EVO Plus 1TB M.2 PCIe (MZ-V7S1T0BW)

Производител: Samsung
Модел: 970 EVO Plus 1TB MZ-V7S1T0BW

Описание:

Винаги развива SSD
Крайната производителност, подобрена. По-бързо от 970 EVO, 970 EVO Plus се захранва от последната технология на Samsung V-NAND и оптимизация на фърмуера. Това максимизира потенциала на NVMe честотната лента за превъзходно изчисление. В капацитет до 2TB, с надеждност до 1200 TBW.

Ниво на изпълнение
970 EVO Plus може да достигне последователни скорости на четене / запис до 3,500 / 3,300 MB / s, до 57% по-бързо от 970 EVO. Най-новият V-NAND на Samsung, който носи по-голяма производителност на NAND и по-висока енергийна ефективност, заедно с оптимизирания фърмуер, доказан контролер Phoenix и Intelligent TurboWrite ускорява скоростите.

Гъвкавост на дизайна
Следващият напредък в NVMe SSD. 970 EVO Plus се побира до 2TB върху компактния M.2 (2280) форм-фактор, като значително увеличава капацитета за съхранение и спестява място за други компоненти. Иновативната технология на Samsung ви дава възможност да правите повече и да постигате повече.

Изключителна издръжливост
Новият стандарт в устойчивото представяне. Получете до 1 200 TBW4 с 5-годишна ограничена гаранция за дълготрайна работа. 970 EVO Plus осигурява изключителна издръжливост, задвижвана от най-новата технология V-NAND и качеството на Samsung.

Ненадмината надеждност
Постигнете ново ниво на увереност при шофиране. Усъвършенстваният никелов контролер и разпръсквачът на топлина на 970 EVO Plus на Samsung осигуряват забележително разсейване. Dynamic Thermal Guard автоматично следи и поддържа оптимални работни температури, за да минимизира спада на производителността.

Характеристики:

Обща характеристика:

• Приложение: Клиентски компютри
• Капацитет: 1000 GB (1 GB = 1 милиард байта от IDEMA) Действителният използваем капацитет може да бъде по-малък (поради форматиране, разделяне, операционна система, приложения или по друг начин)
• Форм фактор: М.2 (2280)
• интерфейс: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
• Размери (ш х в х д): 80,15 х 22,15 х 2,38 мм
• тегло: Макс. 8,0 g Тегло
• Памет за съхранение: Samsung V-NAND 3-битов MLC
• контролер: Samsung Phoenix контролер
• Кеш-памет: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM

Специално свойство

• Поддръжка на TRIM
• Поддържани S.M.A.R.T Support
• Поддържани GC (събиране на боклука)
• Автоматичен алгоритъм за събиране на боклука
• Поддръжка за шифроване: AES 256-битово шифроване (клас 0) TCG / Opal IEEE1667 (криптирано устройство)
• WWN поддръжка: Не се поддържа
• Поддръжка за режим на икономичен режим на устройството: да

производителност

• Последователно четене: До 3,500 MB / s Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурацията
• Последователно записване: До 3,300 MB / s Производителността може да варира в зависимост от системния хардуер и конфигурацията
• Случайно четене (4KB, QD32): До 600 000 IOPS Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
• Произволно записване (4KB, QD32): До 550,000 IOPS Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
• Случайно четене (4KB, QD1): До 19 000 IOPS Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
• Произволно записване (4KB, QD1): До 60 000 IOPS Производителността може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата

Заобикаляща среда

• Средна консумация на енергия (системно ниво): Средно: 6 W Максимум: 9 W (режим Burst) Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
• Консумация на енергия (неактивен): Макс. 30 mW Реалната консумация на енергия може да варира в зависимост от хардуера и конфигурацията на системата
• Допустимо напрежение
• 3.3 V ± 5% Допустимо напрежение
• Надеждност (MTBF): Надеждност от 1,5 милиона часа (MTBF)
• Работна температура: 0 - 70 ℃ Работна температура
• шок
• 1,500 G & 0,5 ms (половин синус)