Corsair Force Series 1TB CSSD-F1000GBMP600

Производител: Corsair
Модел: Force Series 1TB CSSD-F1000GBMP600

Описание:

PCIE 4.0 (GEN4) технология

Като PCIe 4.0 SSD, MP600 предлага невероятна производителност за съхранение на данни, осигурявайки до 10 пъти по-високи скорости на последователно четене и запис в сравнение с някои SATA SSD устройства и до 50 пъти по-висока скорост спрямо някои традиционни HDD дискове. MP600 е напълно обратно съвместим с настоящите PCIe 3.0 платформи.

По-ниски температури, по-висока производителност

MP600 е оборудван с алуминиев радиатор с голяма повърхност, който спомага за поддържане на производителността дори при високо натоварване.

3D TLC NAND памет с висока плътност

Осигурява идеален баланс между производителност, издръжливост и стойност, за да поддържа устройството ви в оптимално състояние години наред, с изключителна издръжливост до 3 600 TB записани данни.

Форм фактор M.2 2280

Лесно се монтира директно във вашата нова дънна платка с чипсет AMD X570, освобождавайки място в компютъра за по-добър въздушен поток и по-лесно организиране на кабелите.

Готов за Ryzen

CORSAIR е горд партньор при пускането на третото поколение процесори Ryzen на AMD. MP600 е проектиран да ви позволи да се възползвате напълно от скоростта на PCIe 4.0 още от първото стартиране на вашия нов компютър с Ryzen.

Характеристики:

• Номинално тегло: 0.034 kg
• Retail Packaging Net Weight Plastic: 6 kg
• Retail Packaging Net Weight Carton: 6 kg
• Толеранс за вибрации при работа: 20G @ 80-2000Hz
• Номинално захранващо напрежение: 3.3 V
• Минимална консумирана енергия: 1.1 W
• Максимална консумирана енергия: 6.5 W
• Средно време между повреди: 1700000 hr
• Total Bytes Written (TBW): 1800 TB
• Ударо устойчивост при работа: 1500G
• Solid State Drive Features: AES 256-bit EncryptionmDEVSLP Mode
• Maximum Sequential Read Rate: 4950 MB/s
• Maximum Sequential Write Rate: 4250 MB/s
• Maximum Random Write Rate: 680000 IOPS
• Maximum Random Read Rate: 600000 IOPS
• SSD Cooling Method: Heatsink
• Технология на флаш памет: Triple-Level Cell
• Технология на паметта: NAND Flash
• Поддържан канал за данни: PCIe NVMe 4.0 x4
• Форм фактор: M. 2 (2280)
• Капацитет на устройство за съхранение на данни: 1 TB
• Разположение на устройството: Вътрешен