Samsung 990 EVO 2TB M.2 (MZ-V9E2T0BW)

Samsung 990 EVO

Ъпгрейд на ежедневната производителност

Производителност

Ъпгрейд до бърза скорост на последователно четене до 5 000 MB/s, което е с 43% по-бързо от предишния модел.

Енергийна ефективност

С до 70% по-висока енергийна ефективност в сравнение с предишния модел, поддържаща модерен режим на готовност и дълъг живот на батерията.

Гъвкавост

Повишете ежедневната производителност в игрите, бизнеса и творческата работа със съвместимост с PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2.

Изпреварваща скорост

990 EVO предлага повишена скорост на последователно четене/запис до 5000/4200 MB/s и скорост на произволно четене/запис до 700 хил. /800 хил. IOPS, като достига до 43% по-висока скорост в сравнение с 970 EVO Plus 2TB. Намалете чакането при игрите и получете бърз достъп до големи файлове.

Интелигентно топлинно решение

Топлоразпределит лният стикер на 990 EVO спомага за термичния контрол на NAND чипа. Авангардният алгоритъм за топлинен контрол на Samsung, съчетан с функцията Dynamic Thermal Guard, осигурява едновременно постоянна и надеждна производителност. Дръжте производителността си нагорещена до червено, а не устройството си.

Tech specs:

General Feature

• Appl ication Client PCs
• Rated Capacity 2,000GB
• Form Factor M. 2 (2280)
• Interface PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
• Dimension (WxHxD) 80 x 22 x 2.38 mm
• Weight Max 9.0g
• Storage Memory Samsung V-NAND TLC
• Controller Samsung in-house Controller
• Cache Memory HMB(Host Memory Buffer)

Spe cial Feature

• TRIM Support Supported
• S. M. A. R. T Support Supported
• GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
• Encryption Support AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
• WWN Support Not supported
• Device Sleep Mode Support Yes

Perform ance

• Sequent ial Read Up to 5,000 MB/s
• Sequential Write Up to 4,200 MB/s
• Random Read (4KB, QD32) Up to 700,000 IOPS
• Random Write (4KB, QD32) Up to 800,000 IOPS
• Random Read (4KB, QD1) Up to 20,000 IOPS
• Random Write (4KB, QD1) Up to 90,000 IOPS
• TBW 1200TBW

En vironment

• Average Power Consumption (system level) Average: Read 4.9 W / Write 4.5 W
• Power consumption (Idle) Typical 60 mW
• Power Consumption (Device Sleep) Typical 5 mW
• Allowable Voltage 3.3 V ± 5 %
• Reliability (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
• Operating Temperature 0 - 70 ℃ Operating Temperature
• Shock 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)